本研究では、熱フィラメントCVD法によるダイヤモンド成長過程でSiV中心を形成し、成長条件と発光特性の相関を明らかにすることを目的とする。イオン注入法では注入損傷や局所ひずみにより発光品質が低下する課題があるため、成長中形成に着目する。CH₄/H₂比、Si濃度、投入電力、フィラメント材料などを制御し、構造・組成・光学評価を通じて、SiV中心の制御形成に向けたプロセス指針を得る。
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