本研究では、モノリシック型三次元集積回路の実現に向けて、単結晶シリコン基板と多結晶ゲルマニウム(Ge)およびゲルマニウムスズ(GeSn)薄膜による積層型CMOSを開発する。Geは、「高い正孔移動度」を有しており、p型トランジスタに適している。また、結晶化温度が低いため、Si上にn型トランジスタ(FET)を形成した後でもその上に結晶成長が可能である。私はこれまでに「絶縁基板上へのGe(Sn)の低温結 [...]
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