格子歪みによってグラフェンの内部に擬磁場が生じることが知られている。最近、熱分解法によるSiC(0001)テラス上の三角形状に窪んだ領域(ナノプリズム/ドット)のグラフェンにランダウ量子化(準位)が観察された。グラフェンに擬磁場を導入するのに3方向の格子歪みが効果的であるとしている。この歪みドットを規則的に2次元配列することにより歪み超格子を形成するとフラットバンドが生じることが計算で示されており [...]
RESEARCH MIRAI-SDGs研究一覧
サイト内に 964 件の記事が見つかりました。 (929 - 936件を表示)







