Si-IGBTは、微細化やオン電圧の低減化のために、トレンチゲート構造が用いられる。また、スケーリングによる性能向上も試みられている。熱処理工程においてウェーハ内部に熱応力が発生すると、トレンチ付近には応力集中が生じ、転位増殖などの欠陥によりデバイスの性能を劣化させる。Si-IGBTの性能を引き出すためには、熱処理プロセス中の劣化を低減することが重要である。本研究では、デバイス製造プロセス・構造最 [...]
RESEARCH MIRAI-SDGs研究一覧
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